產(chǎn)品名稱

中文名稱: 純進(jìn)口HQ graphene二硒化鎢晶體

英文名稱：HQ graphene WSe2

產(chǎn)品概述

WSe2是一種間接帶隙為~1.3 eV的半導(dǎo)體，單層WSe2具有直接帶隙。這些層通過范德華相互作用堆疊在一起，可以剝離成薄的二維層。二硒化鎢屬于第六族過渡金屬二硫族化合物（TMDC）。在HQ石墨烯中制備的WSe2晶體具有典型的橫向尺寸為~0.8-1 cm，六角形和金屬外觀。我們制備了n型和p型WSe2，在室溫下典型載流子密度為~1015cm-3。

WSe2 is a semiconductor with an indirect band gap of ~1.3 eV, monolayer WSe2 has a direct band gap. The layers are stacked together via van der Waals interactions and can be exfoliated into thin 2D layers. Tungsten Diselenide belongs to the group-VI transition metal dichalcogenides (TMDC). 
The WSe2 crystals produced at HQ Graphene have a typical lateral size of ~0.8-1 cm, are hexagonal shaped and have a metallic appearance. We produce both n-type and p-type WSe2, having typical charge carrier densities of ~1015cm-3 at room temperature. 

技術(shù)參數(shù)

純度: 99.995%

尺寸:~6-8 mm

顏色: 銀灰色

產(chǎn)品特點(diǎn)

Electrical properties：Semiconductor，p-type

Crystal structure：Hexagonal

Unit cell parameters：a = b = 0.328 nm, c = 1.298 nm, α = β = 90°, γ = 120°

應(yīng)用領(lǐng)域

在電子學(xué)領(lǐng)域：

場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）：由于其出色的電學(xué)性能，可用于制造高性能、低功耗的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。例如，在下一代納米電子器件中，能夠?qū)崿F(xiàn)更小的尺寸和更優(yōu)的性能。

集成電路：有望成為未來集成電路中的關(guān)鍵組件，提高芯片的集成度和運(yùn)算速度。

在能源領(lǐng)域：

太陽(yáng)能電池：可用作太陽(yáng)能電池的吸收層材料，提高光電轉(zhuǎn)換效率。比如在新型薄膜太陽(yáng)能電池中，有助于增強(qiáng)對(duì)太陽(yáng)光的吸收和電荷傳輸。

鋰離子電池：作為鋰離子電池的電極材料，表現(xiàn)出良好的電化學(xué)性能和循環(huán)穩(wěn)定性。

在催化領(lǐng)域：

析氫反應(yīng)（HER）催化：在電解水制氫中，是一種有潛力的析氫反應(yīng)催化劑，能夠降低反應(yīng)所需的能量，提高產(chǎn)氫效率。